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DMT3009LDT	文件：551.9 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：551.9 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3009LDT-7	文件：551.9 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：551.9 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3009LDT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nPCB Footprint of 4mm2\nLow Gate Threshold Voltage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3009LFVW	文件：732.21 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.  Backlighting  Power Management Functions  DC-DC Converters Features and Be 文件：732.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3009UDT	文件：400.4 Kbytes Page：8 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications  General Purpose Interfacing Switch  Power Management Functions 文件：400.4 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
EMSB3009	文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes 页数：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
13.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.8 nC
Packages：
V-DFN3030-8 (Type K)

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