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DMT3009LDT中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMT3009LDT规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
特性 Features
0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications
PCB Footprint of 4mm2
Low Gate Threshold Voltage
应用 Application
General Purpose Interfacing Switch
Power Management Functions
技术参数
- 制造商编号
：DMT3009LDT
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：30 V
- VGS
：20
- IDS @ TA = +25°C
：N/A A
- PD @ TA = +25°C
：2 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：11.1 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：13.8 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：6.4 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：13.8 nC
- Packages
：V-DFN3030-8 (Type K)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
2511 |
标准封装 |
12000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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DIODES/美台 |
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DFN3030-8 |
8850 |
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DIODES/美台 |
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V-DFN3030-8 |
8080 |
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Diodes(美台) |
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V-DFN3030-8 |
50000 |
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D1ODES |
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NA/ |
14 |
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Diodes(美台) |
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VDFN30308 |
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DIODES/美台 |
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NA |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
V-DFN3030-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
