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DMP3056LDM	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowOn-Resistance •TotallyLead-F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LDM	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMP3056LDM-7	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowOn-Resistance •TotallyLead-F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD	文件：178.37 Kbytes Page：4 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThreshold	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSDQ	文件：408.66 Kbytes Page：6 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltag	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMP3056LSS	文件：176.99 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •45mΩ@VGS=-10V •65mΩ@VGS=-4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5 A
PD @ TA = +25°C：
1.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.7 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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