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DMP3056LSD	文件：178.37 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold 文件：178.37 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD-13	文件：178.37 Kbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold 文件：178.37 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD-13	文件：1.05751 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches 文件：1.05751 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DMP3056LSDQ	文件：408.66 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltag 文件：408.66 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSDQ-13	文件：408.66 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Dual P-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltag 文件：408.66 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD_15	文件：230.98 Kbytes Page：5 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：230.98 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP3056LSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP3056LSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Dual P-Channel MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed \n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capa;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMP3056LSDQ
Polarity：
P+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.9 A
PD @ TA = +25°C：
2.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.7 nC
Packages：
SO-8

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