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DMP3056LDM-7	文件：141.76 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowOn-Resistance •TotallyLead-F	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

DMP3056LDM-7

文件：141.76 Kbytes

Page：6 Pages

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowOn-Resistance •TotallyLead-F

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

详细参数

型号：
DMP3056LDM-7
功能描述：
MOSFET P-Channel 1.25W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMP3056LDM-7供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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