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DMP1096UCB4	文件：596.01 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: RDS(ON) = 85mΩ to Minimize On-State Losses Qg = 3.7nC for Ultra-Fast Switching VGS(TH) = -0.6V Typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm Height = 0.62mm for Low Profile ESD = 3kV HBM Protection of Gate Tota 文件：596.01 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1096UCB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 12V P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to portable , Battery packing and other power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP1096UCB4-7	文件：596.01 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1W；Package：U-WLB1010-4；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: RDS(ON) = 85mΩ to Minimize On-State Losses Qg = 3.7nC for Ultra-Fast Switching VGS(TH) = -0.6V Typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm Height = 0.62mm for Low Profile ESD = 3kV HBM Protection of Gate Tota 文件：596.01 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
5 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.6 A
PD @ TA = +25°C：
0.82 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
102 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
116 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-WLB1010-4

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更多DMP1096UCB4供应商更新时间2025-10-10 15:01:00

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