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DMP1096UCB4-7	文件：596.01 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1W；Package：U-WLB1010-4；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: RDS(ON) = 85mΩ to Minimize On-State Losses Qg = 3.7nC for Ultra-Fast Switching VGS(TH) = -0.6V Typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm Height = 0.62mm for Low Profile ESD = 3kV HBM Protection of Gate Tota 文件：596.01 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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更多DMP1096UCB4-7供应商更新时间2026-1-24 11:13:00