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DMN62D0U	文件：1.05114 Mbytes Page：3 Pages	丝印：LWW；Package：SOT363；60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Fast switching Green Device Available Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：1.05114 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN62D0U	文件：462 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0U	文件：462.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：462.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ-13	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	丝印：LEE；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ-7	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	丝印：LEE；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT-13	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TK9；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT-7	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TK9；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UV	文件：512.46 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standar 文件：512.46 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.38 A
PD @ TA = +25°C：
0.59 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	DMN62D0U	DIODES/美台	2447	SOT23	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多DMN62D0U供应商更新时间2025-12-14 15:01:00

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