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DMN62D0UT	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT-13	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TK9；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT-7	文件：523.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：TK9；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Up To 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automo 文件：523.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •Low On-Resistance: RDS(ON)\n•Low Input Capacitance\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified fa;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.32 A
PD @ TA = +25°C：
0.34 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

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更多DMN62D0UT供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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