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DMN62D0UV	文件：512.46 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standar 文件：512.46 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UV-13	文件：512.46 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D93；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standar 文件：512.46 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UV-7	文件：512.46 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D93；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AEC-Q101 Standar 文件：512.46 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UV	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.\n\n	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Standard
Polarity：
N
N)：
Yes
(V)：
60 V
(±V)：
20 ±V
@TA = +25°C (A)：
0.49 A
PD @TA = +25°C (W)：
0.74 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
2000 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
2500 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)：
3000 mΩ
Min (V)：
0.5 V
Max (V)：
1.0 V
= 4.5V (nC)：
0.5 nC
CISS Typ (pF)：
32 pF
(V)：
30 V
Packages：
SOT563

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	DMN62D0UV-13	Diodes Incorporated	25+	SOT-563 SOT-666	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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