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DMN3731UFB4	文件：1.77658 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application + Load/Power Switching «Interfacing Switching + Battery Management for Ultra Small Portable Electronics + Logic Level Shift 文件：1.77658 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN3731UFB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application\n•0.6mm2 Package Footprint, 10 times Smaller than SOT23\n•Low VGS(TH), Can Be Driven Directly From A Battery\n•Low RDS(ON)\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN5L06TK-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	3PINSOTSMD	DIODES 美台半导体上传：深圳市正迈科技有限公司	DIODES
DMN5L06TK-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT523	DIODES/美台上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	DIODES/美台
DMN6013LFG-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	PowerDI 3333-8	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.2 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.97 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
460 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
560 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
730 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
CISS Typ：
73 pF
CISS Condition [@VDS]：
25 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.5 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN1006-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	DMN3731UFB4	TECH PUBLIC(台舟)	23+	DFN-3L(1x0.6)	10000	三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	DMN3731UFB4	DIODES/美台	2511	X2-DFN1006-3	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市正纳电子有限公司	DMN3731UFB4-7B	Diodes(美台)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	DMN3731UFB4-7B	DIODES	24+	DFN	10000	只有原装	询价

更多DMN3731UFB4供应商更新时间2026-1-26 10:05:00

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