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DMN3731UFB4中文资料30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN3731UFB4

功能描述

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:01:00

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DMN3731UFB4规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

特性 Features

•0.4mm Ultra Low Profile Package for Thin Application
•0.6mm2 Package Footprint, 10 times Smaller than SOT23
•Low VGS(TH), Can Be Driven Directly From A Battery
•Low RDS(ON)
•ESD Protected Gate
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

应用 Application

• Load Switch

• Portable Applications

• Power Management Functions

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN3731UFB4

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes Y/N

  • VDS

    :30 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :1.2 A

  • IDS @ TC = +25°C

    :N/A A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.97 W

  • PD @ TC = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :460 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :560 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :730 mΩ

  • VGS (th) Max

    :0.95 V

  • CISS Typ

    :73 pF

  • CISS Condition [@VDS]

    :25 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :5.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 5V (nC)

    :N/A

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :X2-DFN1006-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
21+
NA
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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DIODES
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原装正品
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原装DIODES
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一级代理/放心采购
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DIODES/美台
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