DMN31D6UT中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
DMN31D6UT规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
Low On-Resistance: RDS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
应用 Application
Motor Control
Power Management Functions
技术参数
- 制造商编号
：DMN31D6UT
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：30 V
- VGS
：12 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：0.35 A
- PD @ TA = +25°C
：0.32 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：1500 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：2000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1.4 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：0.35 nC
- Packages
：SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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SOT-23-3 |
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DIODES |
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SOT523 |
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