首页>DMN3110LCP3>规格书详情
DMN3110LCP3数据手册Diodes中文资料规格书
DMN3110LCP3规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the footprint in handheld and mobile application. It can be used to replace many small signals MOSFET with as really small footprint.
特性 Features
Low QG & QGD
Small Footprint
Low Profile 0.30mm Height
应用 Application
Battery Management
Load Switch
Battery Protection
Handheld and Mobile Application
技术参数
- 制造商编号
：DMN3110LCP3
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：30 V
- VGS
：12 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：32 A
- PD @ TA = +25°C
：1.38 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：80 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：110 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：160 mΩ
- VGS (th) Max
：1.1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：1.09 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：X2-DSN1006-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
38880 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
X2DSN10063 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES |
18+ |
DSN10 |
78000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
X2-DSN1006-3 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
X2-DSN1006-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
DIODES |
21+ |
DSN10 |
78000 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
Diodes(美台) |
2511 |
标准封装 |
12000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
DIODES |
21+ |
TR |
108000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES |
23+ |
X2-DSN1006-3 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 |
