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DMN3110LCP3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:583.73 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3110LCP3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the footprint in handheld and mobile application. It can be used to replace many small signals MOSFET with as really small footprint. Low QG & QGD\nSmall Footprint\nLow Profile 0.30mm Height;

Diodes

美台半导体

DMN3110LCP3-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:583.73 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3110LCP3-7

X2-DSN1006-3

DIODES/美台

DMN3150LW-7

SOT-323

DIDDES

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    32 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.38 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    80 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    110 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    160 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    1.09 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    X2-DSN1006-3

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更多DMN3110LCP3供应商 更新时间2025-12-1 15:06:00