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DMN3061S中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN3061S

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:14:00

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DMN3061S规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN3061S

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No

  • |VDS| (V)

    :30 V

  • |VGS| (±V)

    :20 ±V

  • |IDS| @TA = +25°C (A)

    :2.3 A

  • PD @TA = +25°C (W)

    :1.23 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(10V)(mΩ)

    :59 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)

    :98 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)

    :196 (@3.3V) mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :0.5 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :1.8 V

  • QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)

    :2.9 nC

  • QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)

    :5.5 nC

  • CISS Typ (pF)

    :233 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :15 V

  • Packages

    :SOT23

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