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DMN33D8LV-TP	文件：3.08146 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET Application «ReverseBatteryprotection ©Loadswitch «Powermanagement «MotorControl	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMN33D8L	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDWQ	文件：579.55 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: MotorControl DC-DCConverters Backlighting FeaturesandBenefits LowOn-Resistance Low	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LT	文件：256.98 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountPackage	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LTQ	文件：493.66 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features N-ChannelMOSFET LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate2KV TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN33D8LTQissuitable	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LV	文件：294.76 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN33D8LVQ	文件：611.73 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™DMN33D8LVQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspecific	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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