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DMN33D8LDW	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：294.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDWQ	文件：579.55 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Motor Control  DC-DC Converters  Backlighting Features and Benefits  Low On-Resistance  Low 文件：579.55 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDWQ-13	文件：579.55 Kbytes Page：6 Pages	丝印：N33；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Motor Control  DC-DC Converters  Backlighting Features and Benefits  Low On-Resistance  Low 文件：579.55 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDWQ-7	文件：579.55 Kbytes Page：6 Pages	丝印：N33；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Motor Control  DC-DC Converters  Backlighting Features and Benefits  Low On-Resistance  Low 文件：579.55 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW_15	文件：294.7 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：294.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW-13	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：294.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW-13	文件：294.7 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：294.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW-7	文件：294.7 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：294.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW-7	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：294.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.25 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
7000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.55 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.23 nC
Packages：
SOT363

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更多DMN33D8LDW供应商更新时间2025-10-8 9:04:00

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