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DMN4030LK3Q	文件：543.38 Kbytes Page：7 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMN4030LK3Q is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP cap 文件：543.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4030LK3Q-13	文件：543.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N4030L；Package：TO252；40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DMN4030LK3Q is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP cap 文件：543.38 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4030LK3Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN4030LK3	文件：310.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMN4030LK3	文件：654.58 Kbytes Page：8 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：654.58 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4030LK3	文件：671.98 Kbytes Page：8 Pages	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：671.98 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
13.7 A
PD @ TA = +25°C：
8.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.9 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	DMN4030LK3Q	DIODES/美台	24+	TO252(DPAK)	786000	全新原装假一罚十	询价
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更多DMN4030LK3Q供应商更新时间2025-10-12 8:31:00

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