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DMN33D9LV	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualifi 文件：626.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D9LV-13	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	丝印：34B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualifi 文件：626.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D9LV-13A	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	丝印：34B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualifi 文件：626.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D9LV-7	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	丝印：34B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualifi 文件：626.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D9LV-7A	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	丝印：34B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualifi 文件：626.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D9LV-TP	文件：3.08159 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET Application « Reverse Battery protection » Load switch « Power management » Motor Control 文件：3.08159 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN33D9LV	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please contact us or your ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
±20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.35 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.43 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
7
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.4 V
CISS Typ：
48 pF
CISS Condition [@VDS]：
5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.55 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.23 nC
Packages：
SOT563

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