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DMN33D9LV-TP	文件：3.08159 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET Application «ReverseBatteryprotection »Loadswitch «Powermanagement »MotorControl	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMN33D9LV	文件：626.81 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
NTC-33D9	文件：243.12 Kbytes Page：5 Pages	Strongpowerandstrongcapabilityofsurgecurrentprotection. Features ·Strongpowerandstrongcapabilityofsurgecurrentprotection. ·CharacteristicsFastresponsetotherapidlysurge. ·Bigmaterialconstant(Bvalue),Smallremainresistance. ·Highreliability. ··Integralseries,Extensiveoperatingrange. ·OperatingTemp.-55℃～+200℃ application	EXSENSEExsense Electronics Technology Co., Ltd. 爱晟肇庆爱晟传感器技术有限公司	EXSENSE

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Dual N-Channel MOSFET

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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifi

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美台半导体

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Strongpowerandstrongcapabilityofsurgecurrentprotection.

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