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DMN3730U	文件：264.71 Kbytes Page：3 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 文件：264.71 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN3730U	文件：196.39 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：196.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB	文件：1.7735 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Battery Management for Ultra Small Portable Electronics Logic Level Shift 文件：1.7735 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN3730U_15	文件：196.39 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 文件：196.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730U-7	文件：196.39 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：196.39 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB	文件：147.51 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：147.51 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB4	文件：144.38 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：144.38 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB4_15	文件：425.54 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：425.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB4-7	文件：425.54 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：425.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3730UFB4-7	文件：144.38 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：144.38 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.94 A
PD @ TA = +25°C：
0.71 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
460 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
560 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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