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DMN33D8LVQ-7	文件：611.73 Kbytes Page：6 Pages	丝印：33B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DIODES™ DMN33D8LVQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：611.73 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LV-TP	文件：3.08146 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET Application « Reverse Battery protection © Load switch « Power management « Motor Control 文件：3.08146 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN33D8L_15	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：275.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8L-13	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：275.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8L-13	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance 文件：275.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8L-7	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：275.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8L-7	文件：275.16 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance 文件：275.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：294.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW_15	文件：294.7 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：294.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LDW-13	文件：294.69 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：294.69 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.35 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3800 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.55 nC
Packages：
SOT23

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更多DMN33D8L供应商更新时间2025-10-7 9:04:00

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