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DMN3200U	文件：152.5 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance ◾ 90mΩ @ VGS = 4.5V ◾ 110mΩ @ VGS = 2.5V ◾ 200mΩ @ VGS = 1.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Fre 文件：152.5 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U	文件：163.48 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • 90 mΩ @ VGS = 4.5V • 110 mΩ @ VGS = 2.5V • 200 mΩ @ VGS = 1.5V • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate • Fast Switching Speed • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2, 3 and 5 文件：163.48 Kbytes 页数：1 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN3200U-7	文件：152.5 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance ◾ 90mΩ @ VGS = 4.5V ◾ 110mΩ @ VGS = 2.5V ◾ 200mΩ @ VGS = 1.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Fre 文件：152.5 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U	文件：285.76 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：285.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U_15	文件：209.93 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：209.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U_16	文件：285.76 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：285.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U-7	文件：285.76 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：285.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3200U	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.65 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
90 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
110 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
200 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMN3200供应商更新时间2026-3-14 14:13:00

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