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DMN3051L	文件：199.76 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Inp 文件：199.76 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051L	文件：164.77 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Load Switch • DC-DC Converters • Power management functi 文件：164.77 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN3051L-7	文件：199.76 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Inp 文件：199.76 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051L_15	文件：254.35 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：254.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051LDM	文件：116.77 Kbytes Page：5 Pages	丝印：3N5；Package：SOT-26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：116.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051LDM_15	文件：116.76 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：116.76 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051LDM-7	文件：116.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：116.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3051L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3051LDM	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.8 A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
38 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
64 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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