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DMN3026LVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3026LVTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.6 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.5 nC
Packages：
TSOT26

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