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DMN3026LVT	文件：295.4 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：295.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT_15	文件：301.03 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：301.03 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT-13	文件：295.4 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：295.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT-13	文件：301.03 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：301.03 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT-7	文件：295.4 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：295.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT-7	文件：301.03 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：301.03 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVTQ	文件：412.27 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.27 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVTQ-13	文件：412.27 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.27 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVTQ-7	文件：412.27 Kbytes Page：8 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.27 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3026LVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3026LVTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.6 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.5 nC
Packages：
TSOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN3026LVT供应商更新时间2025-10-7 14:02:00

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