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DMN3026LVTQ

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:412.27 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3026LVTQ-13

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3026LVTQ-7

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3026LVTQ

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    Yes

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    6.6 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.5 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    30 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    5.7 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    12.5 nC

  • Packages:

    TSOT26

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更多DMN3026LVTQ供应商 更新时间2025-12-11 13:25:00