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DMN2005K-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • ESD Protec

文件:266.35 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2005K-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:246.18 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2005K-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:396.96 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2011UFDE-7

U-DFN2020-6

DIODES/美台

DMN2044UCB4-7

DIODESINC

详细参数

  • 型号:

    DMN2005K-7

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMN2005K-7供应商 更新时间2026-1-17 9:04:00