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DMN10H099SK3中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN10H099SK3

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:00:00

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DMN10H099SK3规格书详情

描述 Description

This new generation complementary MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

应用 Application

Power Management Functions
\t
\t\tDC-DC Converters


\t\t\t\t\t\t

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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN10H099SK3

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :17 A

  • PD @ TA = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :80 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :99 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :25.2 nC

  • Packages

    :TO252 (DPAK)

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