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DMN1032UCP4规格书详情
描述 Description
This 2nd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(ON) per footprint area.
技术参数
- 制造商编号
：DMN1032UCP4
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：N
- ESD Diodes (Y|N)
：No
- |VDS| (V)
：12 V
- |VGS| (±V)
：8 ±V
- |IDS| @TA = +25°C (A)
：5 A
- PD @TA = +25°C (W)
：1.01 W
- RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)
：28 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)
：32 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)
：42 mΩ
- |VGS(TH)| Min (V)
：0.4 V
- |VGS(TH)| Max (V)
：1.2 V
- QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)
：3.2 nC
- CISS Typ (pF)
：325 pF
- CISS Condition @|VDS| (V)
：6 V
- Packages
：X1-DSN1010-4 (Type B)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
21+ |
WLB1818-4 |
3000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
U-WLB1818-4 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
U-WLB1818-4 |
25000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
U-WLB1818-4 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
U-WLB1818-4 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
U-WLB1818-4 |
90000 |
正规代理渠道假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
U-WLB1818-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
DIODES |
24+ |
WLB1818-4 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
UWLB18184 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 |
