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DMN1016UCB6中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN1016UCB6

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 9:18:00

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DMN1016UCB6规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate
resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching
performance, making it ideal for high efficiency power management
applications

特性 Features

Low Qg & Qgd
Small Footprint
Low Profile 0.62mm height

应用 Application

Battery Management
Load Switch
Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN1016UCB6

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :12 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :6.6 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.47 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :U-WLB1510-6

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