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DMN1016UCB6

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1016UCB6

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:531.26 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN1016UCB6

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications Low Qg & Qgd\nSmall Footprint\nLow Profile 0.62mm height;

Diodes

美台半导体

DMN1016UCB6_16

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMN1016UCB6-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1016UCB6-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    12 V

  • VGS:

    8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    6.6 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.47 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    23 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-WLB1510-6

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更多DMN1016UCB6供应商 更新时间2025-10-11 15:01:00