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DMN1003UCA6中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN1003UCA6规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
CSP with Footprint 3.54mm × 1.77mm
Height = 0.21mm for Low Profile
ESD Protection of Gate
应用 Application
Battery Management
Load Switch
Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
：DMN1003UCA6
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：12 V
- VGS
：8 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：23.6 A
- PD @ TA = +25°C
：2.67 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：3.2 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：6.3 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1.3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：56.5 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：X3-DSN3518-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2511 |
U-DFN2020-6 |
360000 |
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X3-DSN3518-6 |
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X3-DSN3518-6 |
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DIODES/美台 |
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DFN2020-6 |
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