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DMN1019UVT数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMN1019UVT

功能描述

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:50:00

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DMN1019UVT规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance.

应用 Application

Load Switch
\t
\t\tDC-DC Converters
\t
\t\tPower Management Functions


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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN1019UVT

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :12 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :10.7 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.73 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :10 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :12 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :14 mΩ

  • VGS (th) Max

    :0.8 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :28 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :TSOT26

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