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DMN1019UVT

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1019UVT_15

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1019UVT-13

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1019UVT-7

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN1019UVT

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    12 V

  • VGS:

    8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    10.7 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.73 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    10 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    12 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    14 mΩ

  • VGS (th) Max:

    0.8 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    28 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    TSOT26

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更多DMN1019UVT供应商 更新时间2025-10-5 15:01:00