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DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET 文件：1.1316 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DMG6602SVT_15	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVT-7	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ_15	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ-13	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ-7	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 30V N +P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG6602SVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \nHalogen and Antimony Free. “Green” Device \nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\nPPAP Capable;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
DMG6602SVTQ
Polarity：
N+P
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
20±V
IDS@TA=+25°C：
3.4
PD@TA=+25°C：
1.112W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
60
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
100
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
2.3V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
6nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
13

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