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DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
DMG6602SVT_15	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVT-7	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ_15	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ-13	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ-7	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EFC6602R	文件：323.53 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9m廓,DualEFCP N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features •2.5Vdrive •Common-draintype •2KVESDHBM •Protectiondiodein •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6602R	文件：421.4 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch N-ChannelSiliconMOSFETLithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features •2.5Vdrive •Common-draintype •2KVESDHBM •Protectiondiodein •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
DMG6602SVT
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
MOSFET NP CH COM PAIR 30V TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23; Transistor
Polarity：
N and P Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.4A; Drain Source Voltage
Vds：
30V; On Resistance
Rds(on)：
0.038ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
1.12W ;RoHS
Compliant：
Yes

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