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DMG6602SVT数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMG6602SVT

功能描述

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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DMG6602SVT规格书详情

描述 Description

This new generation 30V N +P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld application.

应用 Application

Backlighting
DC-DC Converters
Power management functions

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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMG6602SVT

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :DMG6602SVTQ

  • Polarity

    :N+P

  • ESDDiodes

    :No

  • VDS

    :30V

  • VGS

    :20±V

  • IDS@TA=+25°C

    :3.4

  • PD@TA=+25°C

    :1.112W

  • RDS(ON)Max@VGS(10V)

    :60

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V)

    :100

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V)

    :N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V)

    :N/AmΩ

  • VGS(th)Max

    :2.3V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC)

    :6nC

  • QGTyp@VGS=10V(nC)

    :13

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