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DMG6602SVTQ	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ_15	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMG6602SVTQ-7	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：561.23 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \nHalogen and Antimony Free. “Green” Device \nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\nPPAP Capable;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.4
PD @ TA = +25°C：
0.84 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
60
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
55 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.3
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
9
Packages：
TSOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMG6602SVTQ供应商更新时间2025-12-1 8:31:00

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