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DMG3407SSN	文件：106.39 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •Powermanagementfunctio	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
DMG3407SSN	文件：162.53 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •Powermanagementfunctio	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMG3407SSN	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions Featuresa	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG3407SSN	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMG3407SSN	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG3407SSN-7	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions Featuresa	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG3407SSN-7	文件：106.39 Kbytes Page：2 Pages	丝印：G32；Package：SC59；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •Powermanagementfunctio	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
DMG3407SSN_15	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG3407SSN2	文件：449.01 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMG3407SSN-7	文件：449.01 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.31 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
72 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.2 nC
Packages：
SC59

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