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DMG3407SSN-7	文件：106.39 Kbytes Page：2 Pages	Marking：G32；Package：SC59；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •Powermanagementfunctio	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
DMG3407SSN-7	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions Featuresa	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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DMG3407SSN-7

文件：106.39 Kbytes

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Marking：G32；Package：SC59；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch •DC-DCConverters •Powermanagementfunctio

TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd

台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司

TYSEMI

DMG3407SSN-7

文件：199.1 Kbytes

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Low On-Resistance

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DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DMG3407SSN-7

文件：449.01 Kbytes

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMG3407SSN-7
功能描述：
MOSFET MOSFET BVDSS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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