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DMG3407SSN-7中文资料台湾TY半导体数据手册PDF规格书

DMG3407SSN-7
厂商型号

DMG3407SSN-7

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

丝印标识

G32

封装外壳

SC59

文件大小

106.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 TY Semiconductor Co., Ltd
企业简称

TYSEMI台湾TY半导体

中文名称

台湾TY半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 13:53:00

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DMG3407SSN-7规格书详情

Description and Applications

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Load Switch

• DC-DC Converters

• Power management functions

Features and Benefits

• Low On-Resistance

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    DMG3407SSN-7

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET BVDSS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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