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DMG1012TQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfets	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG1012TQ-7	文件：142.14 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：142.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UW	文件：158.2 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • ESD Protected Up To 2KV • Green Device (Note 2) • 文件：158.2 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1012UW	文件：2.64683 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：2.64683 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMG1012UWQ	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMG1012UWQ is suitable fo 文件：530.36 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.63 A
PD @ TA = +25°C：
0.28 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
400 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
700 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.74 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

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更多DMG1012TQ供应商更新时间2025-12-16 15:01:00

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