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DMN31D5UFZ	文件：355.52 Kbytes Page：6 Pages	0.62mmx0.62mmPackageFootprint	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

零件编号

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功能描述/丝印

制造商上传企业

LOGO

DMN31D5UFZ

文件：355.52 Kbytes

Page：6 Pages

0.62mmx0.62mmPackageFootprint

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DMN31D5UFZQ

文件：555.07 Kbytes

Page：7 Pages

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.22
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.35 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT963

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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