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DGD0506AFN-7	文件：845.89 Kbytes Page：13 Pages	Marking：DGD0506A；Package：W-DFN3030-10；HIGH FREQUENCY HALF-BRIDGE GATE DRIVER WITH PROGRAMMABLE DEADTIME Features -50VFloatingHigh-SideDriver -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -1.5ASource/2.0ASinkOutputCurrentCapability -InternalBootstrapDiodeIncluded -UndervoltageLockoutforHigh-SideandLow-SideDrivers -ProgrammableDeadtimetoProtectMOSFETs	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DGD0506AFN-7

文件：845.89 Kbytes

Page：13 Pages

Marking：DGD0506A；Package：W-DFN3030-10；HIGH FREQUENCY HALF-BRIDGE GATE DRIVER WITH PROGRAMMABLE DEADTIME

Features -50VFloatingHigh-SideDriver -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -1.5ASource/2.0ASinkOutputCurrentCapability -InternalBootstrapDiodeIncluded -UndervoltageLockoutforHigh-SideandLow-SideDrivers -ProgrammableDeadtimetoProtectMOSFETs

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD0506AFN-7

文件：742.79 Kbytes

Page：13 Pages

HIGH FREQUENCY HALF-BRIDGE GATE DRIVER

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

DGD0506AFN-7

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：10-WFDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
DGD0506AFN-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，2A
输入类型：
CMOS/TTL
上升/下降时间（典型值）：
17ns，12ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
W-DFN3030-10
描述：
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10

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更多DGD0506AFN-7供应商更新时间2025-5-16 16:20:00

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