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DGD2003S8-13	文件：741.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：DGD2003；Package：SO-8；HALF-BRIDGE GATE DRIVER IN SO-8 Features - Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 200V - Drives Two N-Channel MOSFETs in a Half-Bridge Configuration - 290mA Source/600mA Sink Output Current Capability - Outputs Tolerant to Negative Transients - Internal Dead Time of 420ns to Protect MOSFETs - Wide Low Side Gat 文件：741.59 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DGD2003S8-13	文件：688.91 Kbytes Page：11 Pages	HALF-BRIDGE GATE DRIVER 文件：688.91 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DGD2003S8-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	PAM 龙鼎微	PAM

产品属性

产品编号：
DGD2003S8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
70ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO 类 TH
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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