650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

ChinaWind

中国风

N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：650导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：480导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：600最大漏极电流Id(on)(A)：7通道极性：N沟道封装/温度(℃)：TO-252-2L/-55~125描述：650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET;

WHXY

芯源半导体

650V N-Channel Power MOSFET

Features ● RDS(ON)

文件：2.22764 Mbytes 页数：9 Pages

DYELEC

迪一电子

650V N-Channel Power MOSFET

Features RDS(ON)

文件：1.98642 Mbytes 页数：8 Pages

SY

顺烨电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件：346.99 Kbytes 页数：7 Pages

DIODES

美台半导体