FQA7N65C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQA7N65C规格书详情
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology.
产品属性
- 型号:
FQA7N65C
- 功能描述:
MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO3P |
7350 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
12388 |
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FCS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
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FAIRCHILD |
1822+ |
TO-3PN |
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FAIR2002 |
25+ |
TO-3P |
880000 |
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FCS |
24+ |
TO-3P |
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FSC/ON |
23+ |
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FAIRCHILD仙童 |
23+ |
TO-3P |
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FAI |
25+23+ |
TO3P |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-3P |
4500 |
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