N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：650导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：700导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：850最大漏极电流Id(on)(A)：5通道极性：N沟道封装/温度(℃)：TO-220F-3L/-55~125描述：600V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET;

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芯源半导体

650V N-Channel Power MOSFET

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迪一电子

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