CSD97376Q4M中文资料30V 20A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级数据手册TI规格书

描述 Description

CSD97376Q4M NexFET™功率器件是经过高度优化的设计，用于高功率、高密度场合的同步降压转换器。这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows™8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130µA，并支持立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。该组合在小型 3.5mm × 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效率和高速开关器件。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

特性 Features

• 在 15A 的电流下具有 90% 的系统效率
• 最大额定持续电流 20A，峰值电流 45A
• 高频运行（高达 2MHz）
• 高密度 3.5mm x 4.5mm SON 封装
• 超低电感封装
• 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
• 超低静态 (ULQ) 电流模式
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
• 支持 FCCM 的二极管仿真模式
• 输入电压高达 24V
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
• 无卤素

简介

CSD97376Q4M属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由TI制造生产的CSD97376Q4M全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。